[Über uns]

Bewältigung der globalen Energiekrise mit Wide-Bandgap-Halbleitern

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[Unser Unternehmenszweck]
Unsere Mission
HighQ Power entwickelt fortschrittliche Leistungselektronik auf Basis von Wide-Bandgap (WBG)-Halbleitern. Unsere Systeme bieten überragende Effizienzwerte sowie höchste Leistungsdichte und verschieben die physikalischen Grenzen konventioneller Silizium-Technologien.

HighQ Power revolutioniert die Energieversorgung in den Bereichen Rechenzentren, Photovoltaik, Windkraft und Elektromobilität. Indem wir kritische physikalische Restriktionen aufbrechen, schaffen wir die technologische Basis für die Skalierung moderner AI-Datacenter und zukunftssicherer Energienetze.

Gegründet im Jahr 2025, nutzt HighQ Power die technologische Expertise der Kernstandorte Finnland und Japan. Durch unsere globale Ausrichtung bilden wir die strategische Schnittstelle zwischen Europa und Asien, um den weltweiten Übergang zu robusten Hochleistungs-Energienetzen voranzutreiben.
[Unsere Standorte]
Europa-Asien Deep-Tech-Brücke
Mit weltweit drei Standorten – einem in Finnland und zwei in Japan – sichert HighQ Power Ihnen den direkten Zugang zu internationalen Ressourcen und fundierter Technologieexpertise. Diese globale Präsenz garantiert maximale Kundennähe und positioniert uns an der technologischen Spitze der Leistungselektronik.
Helsinki
Finnland

Hauptsitz Finnland

Adresse
Lapinlahdenkatu 18 00180 Helsinki, FINNLAND
Kitakyushu
Japan

Hauptsitz Japan

Adresse
AIM-Gebäude 6F Asano 3 chome 8-1 Kokurakita-ku, Kitakyusyu 802-0001 JAPAN
Tokio
Japan

Niederlassung Ostjapan

Adresse
THE LINKPILLAR 1 NORTH Gebäude 6F Takanawa 2 chome 21-1 Minato-ku, Tokio 108-0074 JAPAN
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