私たちについて

ワイドバンドギャップ半導体で
世界のエネルギー危機に
向けて取り組む

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私たちの存在意義
私たちのミッション
HighQ Powerは、ワイドバンドギャップ(WBG)半導体を活用した高度なパワーエレクトロニクスを開発しています。従来のシリコン製品の物理的限界を打破し、画期的な電力効率と電力密度を実現するシステムを設計しています。

当社は、データセンター、再生可能エネルギー、EV充電インフラ向けの電力システムを進化に向けて取り組みます。複雑な電力制約の解決に取り組み、次世代のAIファクトリーやグリッドの拡張への貢献を目指します。

2025年に設立された当社は、フィンランドと日本に深いルーツを持っています。グローバルに展開しながら欧州とアジアの架け橋となり、堅牢で高性能な電力インフラへの世界的な移行の加速を推進します。
拠点情報
欧州 - アジアの
技術革新の架け橋
フィンランドに1拠点、日本に2拠点の計3拠点を構えグローバルに展開するHighQ Powerは、お客様に国際的なリソースやノウハウを提供します。グローバルな体制を推進し、常にお客様の近くに寄り添い、パワーエレクトロニクスの最前線に立ち続けることを目指します。
フィンランド
ヘルシンキ

フィンランド本社

住所
Lapinlahdenkatu 18 00180 Helsinki, FINLAND
日本
北九州

日本国内統括拠点

住所
〒802-0001 福岡県北九州市小倉北区 浅野3丁目8-1 AIMビル 6F
日本
東京

東日本拠点

住所
〒108-0074 東京都港区高輪2-21-1 THE LINKPILLAR 1 NORTH 6階
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