超高効率な
WBGパワーエレクトロニクス

HighQ Powerは、ワイドバンドギャップ(WBG)半導体を活用した高度なパワーエレクトロニクスの開発を推進しています。従来のシリコン製品の物理的限界を克服し、画期的な電力効率と電力密度の実現を目指すシステムを設計しています。
背景に風力タービン、屋根にソーラーパネル、正面に電気自動車が配置されたハイパースケールデータセンターの空撮写真。

ソリッドステート変圧器 (SST)

ソリッドステート変圧器 (SST)

半導体変圧器(SST)の3Dレンダリング

主な特徴

~50 kg/MW

99%以上の効率を実現する超小型フットプリント

3~6ヶ月

短期間での迅速な導入が可能

超小型フットプリント

物理的な容積を劇的に削減し、システムの重量を従来の約2,000 kg/MWからわずか約50 kg/MW未満まで軽量化します。

効率の向上

99%~99.5%の変換効率を達成し、エネルギー損失を最小限に抑えるとともに、熱マネジメントを向上させます。

冗長性の確保

内蔵されたインテリジェンス機能により、サブモジュールが故障を自動的に検知して安全にバイパスさせます。スタックには十分なヘッドルーム(余力)が確保されており、ダウンタイムのない連続的な運転を保証します。

拡張性(モジュール式)

6.6 kVから35 kVまで、さまざまな地域での中電圧(MV)系統規格に合わせて容易に拡張可能となります。

800 VDC変換

中電圧交流(MV AC)を800 VDCに変換し、次世代の電源アーキテクチャに沿うよう設計されています。 

迅速な導入が可能

現行の50/60Hz変圧器に数年のバックログが発生しているケースが見られるのに対し、汎用部品と製造工程の簡略化によって3〜6ヶ月という短期間の製造リードタイムの実現を目指します。

ハイブリッド・ソリッドステート・サーキットブレーカー (H-SSCB)

ハイブリッド・ソリッドステート・サーキットブレーカー (H-SSCB)

ハイブリッド半導体遮断器(H-SSCB)の3Dレンダリング映像

概要

アーク放電や電流遮断を抑制し、機械的寿命を大幅に延ばす、機械式遮断器向けのスケール可能なSiCベースのソリューション。

当社の提案

機械式遮断器の性能向上が可能

主な特徴

機械式遮断器のアップグレード

電流チョッピングを防ぎ、アークを低減

クリーンな遮断

機械式遮断器は通常、遮断時に電流チョッピングの影響を受けます。当社のハイブリッドSSCBソリューションは同フェーズで機械式遮断器の動作を補助し、過電圧からの負荷(接続機器)を保護します。

長寿命化

アーク発生時に遮断器の動作を補助することで機械的接点の摩耗を抑え、アークの発生から保護し、遮断器の寿命を大幅に向上させます。

レトロフィット

半導体スタックを既存の遮断器に後付けし、寿命と性能の向上に貢献します。

モニタリングと通信機能

H-SSCBには、計測、診断、イベントログ、および通信のインターフェースを搭載することができ、スマートグリッド、ビルオートメーション、予防保全のサポートも可能です。これにより、単なるアナログの過電流保護デバイスのみならず、計測および制御機能を備えた保護モジュールのように機能することが可能です。

GaNベースAC/DCおよびDC/DCコンバーター

GaNベースAC/DCおよびDC/DCコンバーター

GaNベースのAC/DCおよびDC/DCコンバータの3Dレンダリング

概要

従来のデータセンター用電源に代わる超小型GaNベースのソリューションで、圧倒的なコスト低減と電力密度の向上を目指す。

当社の提案

従来のシリコンベースのデータセンター用電源の置き換えが可能

主な特徴

1/3までサイズ削減可能

超小型フットプリント

高効率

スイッチング周波数、効率、電力密度すべてのパラメータを向上

超小型フットプリント

物理的な体積を劇的に削減、従来の電源スペースに比べわずか1/2 ~ 1/3程度です。

高周波動作

GaNデバイスの活用により、実効スイッチング周波数を高め、入力フィルタや磁気部品の大幅な小型化を可能にします。

電力密度の向上

標準的なシリコン製品の限界を超えることで、スペースの制約がある環境においても、より高い出力の提供が可能になります。
活用分野のご紹介
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