Électronique de puissance WBG à très haut rendement
HighQ Power développe une électronique de puissance avancée utilisant des semi-conducteurs à large bande interdite (WBG). Nous concevons des systèmes offrant un rendement et une densité de puissance révolutionnaires, dépassant les limites physiques du silicium traditionnel.
Transformateur à semi-conducteurs (SST | Solid State Transformer)
Transformateur à semi-conducteurs (SST | Solid State Transformer)
Présentation
Une solution modulaire et évolutive pour remplacer les transformateurs moyenne tension traditionnels 50/60 Hz, avec conversion directe en 800 VCC.
Peut remplacer
Les transformateurs moyenne tension 50/60 Hz traditionnels
Réduit radicalement le volume physique, avec un poids système qui passe d’environ 2 000 kg/MW pour une solution traditionnelle à seulement environ 50 kg/MW.
Rendement accru
Atteint un rendement de conversion de 99 % à 99,5 %, minimisant le gaspillage d'énergie et réduisant les besoins en gestion thermique.
Redondance tolérante aux pannes
L’intelligence intégrée permet aux sous-modules de détecter automatiquement les défauts et de se court-circuiter par bypass en toute sécurité. L’architecture modulaire dispose d’une marge suffisante pour assurer un fonctionnement continu à pleine puissance, sans interruption.
Évolutivité modulaire
S'adapte facilement aux diverses normes régionales des réseaux moyenne tension (MT), allant de 6,6 kV jusqu'à 35 kV.
Conversion directe en 800 VCC
Conçu pour les architectures électriques de nouvelle génération, avec conversion directe du CA moyenne tension vers un bus 800 VCC.
Déploiement rapide
L'utilisation de composants standardisés et de l'assemblage CMS permet une fabrication en 3 à 6 mois, contre plusieurs années d'attente pour les transformateurs 50/60 Hz actuels.
Disjoncteur hybride à semi-conducteurs (H-SSCB)
Disjoncteur hybride à semi-conducteurs (H-SSCB)
Présentation
Une amélioration évolutive à base de SiC pour disjoncteurs mécaniques, qui réduit les arcs électriques et l'arrachement du courant, prolongeant ainsi nettement leur durée de vie mécanique.
Sans arrachement du courant, avec réduction des arcs électriques
Coupure nette
Les disjoncteurs mécaniques souffrent généralement de l'arrachement du courant lors de l'interruption. Notre solution hybride SSCB assiste le disjoncteur mécanique durant cette phase et protège la charge contre les surtensions.
Durée de vie prolongée
En assistant le disjoncteur lors de la formation de l'arc, nous réduisons l'usure des contacts mécaniques et le protégeons contre le réamorçage, prolongeant ainsi considérablement sa durée de vie.
Rétrofit
En complément d’une solution complète, le module de semi-conducteurs peut être ajouté à des disjoncteurs existants afin de prolonger leur durée de vie et d'optimiser leurs performances.
Surveillance et communication intégrées
Les H-SSCB peuvent inclure des fonctions de mesure, de diagnostic, de journalisation d'événements et des interfaces de communication pour prendre en charge les réseaux intelligents, l'automatisation des bâtiments et la maintenance prédictive. Cela en fait davantage un module de protection couplé à des fonctions de comptage et de contrôle, plutôt qu'un simple dispositif analogique de protection contre les surintensités.
Convertisseurs CA/CC et CC/CC à base de GaN
Convertisseurs CA/CC et CC/CC à base de GaN
Présentation
Une solution de remplacement ultra-compacte à base de GaN pour les alimentations de datacenters traditionnelles, offrant une avancée majeure en termes de coût et de densité.
Peut remplacer
Les blocs d'alimentation (PSU) de centres de données traditionnels basés sur le silicium
Robotique — Gestion de l'énergie compacte et à haute densité pour les applications robotiques.
Caractéristiques
1/2 à 1/3 de la taille
Empreinte ultra-compacte
Hautes performances
Fréquence de commutation, rendement et densité de puissance plus élevés
Format ultra-compact
Réduit radicalement le volume physique, avec seulement la moitié à un tiers de l’encombrement des alimentations traditionnelles.
Fonctionnement à haute fréquence
Grâce aux composants GaN, la solution atteint une fréquence de commutation plus élevée, permettant de réduire considérablement la taille des filtres d'entrée et des composants magnétiques.
Densité de puissance accrue
Fournit une puissance de sortie bien plus élevée dans les environnements où l’espace est limité, en dépassant les limites du silicium traditionnel.
